SI1012X-T1-E3
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| Numero di parte | SI1012X-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI1012X-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4337 pcs | Scheda dati | SI1012R,X |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±6V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-89-3 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | SC-89, SOT-490 |
| Altri nomi | SI1012X-T1-E3CT SI1012XT1E3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
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