NSB8MTHE3/81
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| Numero di parte | NSB8MTHE3/81 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NSB8MTHE3/81 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4731 pcs | Scheda dati | Packaging InformationNS(F,B)8AT - NS(F,B)8MT |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.1V @ 8A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 1000V | Contenitore dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 150°C | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo | Standard | Descrizione dettagliata | Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 10µA @ 1000V | Corrente - raddrizzata media (Io) | 8A |
| Capacità a Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz | Numero di parte base | NSB8M |
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