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NSBA113EDXV6T1G

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Numero di parte NSBA113EDXV6T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 616863 pcs
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Numero di parte NSBA113EDXV6T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 616863 pcs Scheda dati MUN5130DW1, NSBA113EDXV6
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 1 kOhms Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Potenza - Max 250mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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  • Parte#:NSB9703
  • Produttori:Desco
  • Descrizione:COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
  • Disponibile:5617
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