EPC8009ENGR
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| Numero di parte | EPC8009ENGR |
|---|---|
| fabbricante | EPC |
| Descrizione | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EPC8009ENGR | fabbricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5053 pcs | Scheda dati | EPC8009 Preliminary DatasheeteGaN® FET Brief |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 47pF @ 32.5V |
| Tensione - Ripartizione | Die | Vgs (th) (max) a Id | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | Serie | eGaN® |
| Stato RoHS | Tray | Rds On (max) a Id, Vgs | 4.1A (Ta) |
| Polarizzazione | Die | Altri nomi | 917-EPC8009ENGR EPC8009ENGG |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | codice articolo del costruttore | EPC8009ENGR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 0.38nC @ 5V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| Caratteristica FET | N-Channel | Descrizione espansione | N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 65V | rapporto di capacità | - |
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