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EPC8009

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Numero di parte EPC8009
fabbricante EPC
Descrizione TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 32582 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
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Numero di parte EPC8009 fabbricante EPC
Descrizione TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 32582 pcs Scheda dati eGaN® FET BriefEPC8009 Datasheet
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) +6V, -4V Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore Die Serie eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs 130 mOhm @ 500mA, 5V Dissipazione di potenza (max) -
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro Die
Altri nomi 917-1078-1 temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 52pF @ 32.5V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.45nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V Tensione drain-source (Vdss) 65V
Descrizione dettagliata N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)

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