DMG3415UFY4-7
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| Numero di parte | DMG3415UFY4-7 |
|---|---|
| fabbricante | Diodes Incorporated |
| Descrizione | MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | DMG3415UFY4-7 | fabbricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4156 pcs | Scheda dati | DMG3415UFY4 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DFN2015H4-3 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 39 mOhm @ 4A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 3-XFDFN |
| Altri nomi | DMG3415UFY4-7DITR DMG3415UFY47 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 281.9pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 16V | Descrizione dettagliata | P-Channel 16V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN2015H4-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
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