DMG3415UFY4Q-7
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| Numero di parte | DMG3415UFY4Q-7 |
|---|---|
| fabbricante | Diodes Incorporated |
| Descrizione | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.061 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | DMG3415UFY4Q-7 | fabbricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 371345 pcs | Scheda dati | DMG3415UFY4Q |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | X2-DFN2015-3 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 39 mOhm @ 4A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 650mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 3-XDFN |
| Altri nomi | DMG3415UFY4Q-7DITR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 20 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 282pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 16V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 16V 2.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2015-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
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- Parte#:
SIT1602BI-72-33E-25.000000G - Produttori:
SiTime - Descrizione:
OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD - Disponibile:
63950