S34MS02G104BHI010
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| Numero di parte | S34MS02G104BHI010 |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 50 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.19 | $3.857 | $3.777 | $3.764 | ||
| 210 pcs | 420 pcs | 630 pcs | 1050 pcs | ||
| $3.376 | $3.274 | $3.114 | $3.005 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | S34MS02G104BHI010 | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 11322 pcs | Scheda dati | S34MS01,02,04G1 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 45ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | FLASH - NAND |
| Contenitore dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) | Serie | MS-1 |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 63-VFBGA |
| Altri nomi | 1274-1066 S34MS02G104BHI010-ND S99-50557 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Non-Volatile | Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 45ns 63-BGA (11x9) |
| Tempo di accesso | 45ns |
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