S34MS02G100BHI003
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| Numero di parte | S34MS02G100BHI003 |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2300 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.861 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | S34MS02G100BHI003 | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 10509 pcs | Scheda dati | S34MS01,02,04G1 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 45ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | FLASH - NAND |
| Contenitore dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) | Serie | MS-1 |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 63-VFBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | FLASH | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 45ns 63-BGA (11x9) | Tempo di accesso | 45ns |
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