CY14B104NA-ZS20XI
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| Numero di parte | CY14B104NA-ZS20XI |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $13.339 | $12.37 | $11.932 | |||
| 50 pcs | 135 pcs | 270 pcs | |||
| $11.636 | $10.191 | $9.91 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CY14B104NA-ZS20XI | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 3738 pcs | Scheda dati | CY14B104LA/NA |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 20ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 44-TSOP II | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Altri nomi | 428-4432 CY14B104NA-ZS20XI-ND CY14B104NAZS20XI |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Non-Volatile | Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | NVSRAM |
| Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 20ns 44-TSOP II | Numero di parte base | CY14B104 |
| Tempo di accesso | 20ns |
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