CY14B104NA-BA25I
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| Numero di parte | CY14B104NA-BA25I |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 299 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.692 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CY14B104NA-BA25I | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 3521 pcs | Scheda dati | CY14B104LA/NA |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 25ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V | Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 48-FBGA (6x10) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 48-TFBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | NVSRAM | Produttore tempi di consegna standard | 11 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Descrizione dettagliata | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 25ns 48-FBGA (6x10) |
| Numero di parte base | CY14B104 | Tempo di accesso | 25ns |
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