CTLDM8120-M832DS TR
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| Numero di parte | CTLDM8120-M832DS TR |
|---|---|
| fabbricante | Central Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHANNEL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CTLDM8120-M832DS TR | fabbricante | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHANNEL | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4919 pcs | Scheda dati | CTLDM8120-M832DS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | TLM832DS | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V | Potenza - Max | 1.65W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-TDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | CTLDM8120-M832DS TR-ND CTLDM8120-M832DSTR |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 860mA (Ta) 1.65W Surface Mount TLM832DS | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 860mA (Ta) |
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