CTLDM8002A-M621 TR
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| Numero di parte | CTLDM8002A-M621 TR |
|---|---|
| fabbricante | Central Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 50V DFN6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CTLDM8002A-M621 TR | fabbricante | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 50V DFN6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5468 pcs | Scheda dati | CTLDM8002A-M621 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | 20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TLM621 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-PowerVFDFN |
| Altri nomi | CTLDM8002A-M621 TR-ND CTLDM8002A-M621TR |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 50V | Descrizione dettagliata | P-Channel 50V 280mA (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TLM621 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 280mA (Ta) |
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