AOWF4S60
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| Numero di parte | AOWF4S60 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4A TO262F |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.255 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AOWF4S60 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4A TO262F | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 94280 pcs | Scheda dati | TO262F Pkg DrawingAOW(F)4S60 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | aMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 900 mOhm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-262-3 Full Pack, I²Pak | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 263pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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