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AOWF7S65

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Numero di parte AOWF7S65
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 61174 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte AOWF7S65 fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 650V 7A TO262F Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 61174 pcs Scheda dati AOW(F)7S65TO262F Pkg Drawing
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Serie aMOS™ Rds On (max) a Id, Vgs 650 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-262-3 Full Pack, I²Pak Altri nomi 785-1531-5
AOWF7S65-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 434pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)

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