AOV11S60
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| Numero di parte | AOV11S60 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.455 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AOV11S60 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 82427 pcs | Scheda dati | DFN8x8-4L Pkg DrawingAOV11S60 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-DFN-EP (8x8) | Serie | aMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 500 mOhm @ 3.8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 8.3W (Ta), 156W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 4-PowerTSFN |
| Altri nomi | 785-1683-2 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 650mA (Ta), 8A (Tc) |
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