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AOV20S60

AOV20S60
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Numero di parte AOV20S60
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 53365 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		3500 pcs
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Numero di parte AOV20S60 fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 53365 pcs Scheda dati DFN8x8-4L Pkg DrawingAOV20S60
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.1V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 4-DFN-EP (8x8) Serie aMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 250 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 8.3W (Ta), 278W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 4-PowerTSFN
Altri nomi 785-1685-2 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1038pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 3.6A (Ta), 18A (Tc) 8.3W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta), 18A (Tc)

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