AOT8N65
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| Numero di parte | AOT8N65 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.243 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AOT8N65 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 90993 pcs | Scheda dati | TO220 Pkg DrawingAOT(F)8N65(L) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.15 Ohm @ 4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 26 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 8A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
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