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AOT8N80L

AOT8N80L
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Numero di parte AOT8N80L
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 73834 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte AOT8N80L fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 73834 pcs Scheda dati TO220 Pkg DrawingAOT(F)8N80
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.63 Ohm @ 4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 245W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi 785-1434-5
AOT8N80
AOT8N80-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 800V
Descrizione dettagliata N-Channel 800V 7.4A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.4A (Tc)

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