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AONR32314

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Numero di parte AONR32314
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 458378 pcs
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Numero di parte AONR32314 fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 458378 pcs Scheda dati AONR32314
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (3x3) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 8.7 mOhm @ 17A, 10V Dissipazione di potenza (max) 4.1W (Ta), 24W (Tc)
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 17A (Ta), 30A (Tc) 4.1W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3x3) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 30A (Tc)

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