AON7900
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| Numero di parte | AON7900 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | AON7900 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 3960 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-DFN-EP (3.3x3.3) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V | Potenza - Max | 1.8W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi | 785-1249-2 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 13A 1.8W Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A, 13A |
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