ALD1110EPAL
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| Numero di parte | ALD1110EPAL |
|---|---|
| fabbricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.582 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | ALD1110EPAL | fabbricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 21712 pcs | Scheda dati | ALD1108,10E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.01V @ 1µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PDIP | Serie | EPAD® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V | Potenza - Max | 600mW |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 10V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Through Hole 8-PDIP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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