ALD110902PAL
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| Numero di parte | ALD110902PAL |
|---|---|
| fabbricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.259 | $1.01 | $0.92 | $0.745 | $0.628 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | ALD110902PAL | fabbricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 50639 pcs | Scheda dati | ALD110802,902 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 220mV @ 1µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PDIP | Serie | EPAD® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 500 Ohm @ 4.2V | Potenza - Max | 500mW |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Altri nomi | 1014-1034 | temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 10.6V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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