NTZD5110NT1G
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| Numero di parte | NTZD5110NT1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.038 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTZD5110NT1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 579310 pcs | Scheda dati | NTZD5110N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-563 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V | Potenza - Max | 250mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | NTZD5110NT1G-ND NTZD5110NT1GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 45 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 24.5pF @ 20V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 294mA | Numero di parte base | NTZD5110N |
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