NTZD3154NT1H
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| Numero di parte | NTZD3154NT1H |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTZD3154NT1H | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4915 pcs | Scheda dati | NTZD3154N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-563-6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V | Potenza - Max | 250mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 540mA 250mW Surface Mount SOT-563-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 540mA |
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