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NTTFS3A08PZTWG

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Numero di parte NTTFS3A08PZTWG
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 82668 pcs
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Numero di parte NTTFS3A08PZTWG fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 14A U8FL Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 82668 pcs Scheda dati NTTFS3A08PZ
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 6.7 mOhm @ 12A, 4.5V Dissipazione di potenza (max) 840mW (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-PowerWDFN
Altri nomi NTTFS3A08PZTWGOSCT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 9A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)

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