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Numero di parte NTTFS4824NTWG
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5668 pcs
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Numero di parte NTTFS4824NTWG fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5668 pcs Scheda dati NTTFS4824N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 5 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerWDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2363pF @ 12V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 11.5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 8.3A (Ta), 69A (Tc) 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta), 69A (Tc)

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