NTMFD5C650NLT1G
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| Numero di parte | NTMFD5C650NLT1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | T6 60V LL S08FL DS |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.77 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTMFD5C650NLT1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | T6 60V LL S08FL DS | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 46166 pcs | Scheda dati | NTMFD5C650NL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 98µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V | Potenza - Max | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Produttore tempi di consegna standard | 50 Weeks |
| Stato senza piombo | Lead free | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2546pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 111A (Tc) |
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