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NTMFD4C88NT1G

NTMFD4C88NT1G
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Numero di parte NTMFD4C88NT1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 43452 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte NTMFD4C88NT1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8DFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 43452 pcs Scheda dati NTMFD4C88N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 5.4 mOhm @ 10A, 10V Potenza - Max 1.1W
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1252pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Caratteristica FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.2A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.7A, 14.2A

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