NTLTD7900ZR2G
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| Numero di parte | NTLTD7900ZR2G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTLTD7900ZR2G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 3974 pcs | Scheda dati | NTLTD7900ZR2 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | Micro8™ | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 26 mOhm @ 6.5A, 4.5V | Potenza - Max | 1.5W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-VDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | NTLTD7900ZR2GOS NTLTD7900ZR2GOS-ND NTLTD7900ZR2GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 1.5W Surface Mount Micro8™ | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Numero di parte base | NTLTD7900Z |
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