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NTLUD3A50PZTBG

NTLUD3A50PZTBG
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Numero di parte NTLUD3A50PZTBG
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 146531 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte NTLUD3A50PZTBG fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 146531 pcs Scheda dati NTLUD3A50PZ
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 6-UDFN (2x2) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 50 mOhm @ 4A, 4.5V Potenza - Max 500mW
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 4.5V Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.8A 500mW Surface Mount 6-UDFN (2x2) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A

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