NTD5C648NLT4G
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| Numero di parte | NTD5C648NLT4G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | T6 60V LL DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.432 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTD5C648NLT4G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | T6 60V LL DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 89449 pcs | Scheda dati | NTD5C648NL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 45A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 4.4W (Ta), 76W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | NTD5C648NLT4G-ND NTD5C648NLT4GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 30 Weeks | Stato senza piombo | Lead free |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 22A (Ta), 91A (Tc) 4.4W (Ta), 76W (Tc) Surface Mount DPAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 91A (Tc) |
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