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NTD5867NLT4G

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Numero di parte NTD5867NLT4G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 218962 pcs
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Numero di parte NTD5867NLT4G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 218962 pcs Scheda dati NTD5867NL
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 39 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 36W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi NTD5867NLT4GOSCT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 9 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 675pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 20A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount DPAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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