NTD4960N-35G
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| Numero di parte | NTD4960N-35G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTD4960N-35G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5791 pcs | Scheda dati | NTD4960N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Altri nomi | NTD4960N-35GOS | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8.9A (Ta), 55A (Tc) |
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