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NTD4959N-35G

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Numero di parte NTD4959N-35G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4536 pcs
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Numero di parte NTD4959N-35G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4536 pcs Scheda dati NTD4959N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1456pF @ 12V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 11.5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 9A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 58A (Tc)

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