NTD4860NA-35G
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| Numero di parte | NTD4860NA-35G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTD4860NA-35G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5588 pcs | Scheda dati | NTD4860N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.28W (Ta), 50W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1308pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21.8nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 25V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10.4A (Ta), 65A (Tc) |
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