NTD4858NA-1G
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| Numero di parte | NTD4858NA-1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTD4858NA-1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5015 pcs | Scheda dati | NTD4858N |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1563pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.2nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 25V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Through Hole I-PAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11.2A (Ta), 73A (Tc) |
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