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NSVTB60BDW1T1G

NSVTB60BDW1T1G
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Numero di parte NSVTB60BDW1T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 522311 pcs
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Numero di parte NSVTB60BDW1T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 522311 pcs Scheda dati NSTB60BDW1T1
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Tipo transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 Serie Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potenza - Max 250mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 150mA

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