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NSVT65010MW6T1G

NSVT65010MW6T1G
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Numero di parte NSVT65010MW6T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 928592 pcs
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Numero di parte NSVT65010MW6T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 928592 pcs Scheda dati NST65010MW6
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 65V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA Tipo transistor 2 PNP (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88 (SOT-363) Serie -
Potenza - Max 380mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Altri nomi NSVT65010MW6T1GOSTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 100MHz
Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88 (SOT-363) Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 15nA (ICBO) Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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