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NSVMUN5132T1G

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Numero di parte NSVMUN5132T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1737602 pcs
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Numero di parte NSVMUN5132T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1737602 pcs Scheda dati MUN(2,5)132, MMUN2132L, DTA143Exx, NSBA143EF3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 202mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 Altri nomi NSVMUN5132T1GOSCT
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 2 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
Numero di parte base MUN51**T

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