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NSVMUN2112T1G

NSVMUN2112T1G
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Numero di parte NSVMUN2112T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 50V BIPOLAR SC59-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1130668 pcs
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Numero di parte NSVMUN2112T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 50V BIPOLAR SC59-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1130668 pcs Scheda dati MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SC-59-3 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potenza - Max 230mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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