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NSVMMUN2135LT1G

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Numero di parte NSVMMUN2135LT1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 917880 pcs
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Numero di parte NSVMMUN2135LT1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 917880 pcs Scheda dati MUN5135, DTA123Jxx, NSBA123JF3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Serie Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 246mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 36 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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