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Numero di parte NSVMMUN2112LT1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1458631 pcs
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Numero di parte NSVMMUN2112LT1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1458631 pcs Scheda dati MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potenza - Max 246mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Altri nomi NSVMMUN2112LT1G-ND
NSVMMUN2112LT1GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 36 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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