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NSVBA114EDXV6T1G

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Numero di parte NSVBA114EDXV6T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 503011 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte NSVBA114EDXV6T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 503011 pcs Scheda dati MUN5111DW1, NSBA114EDxx
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563-6 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 500mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 5 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563-6 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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