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NSVB143TPDXV6T1G

NSVB143TPDXV6T1G
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Numero di parte NSVB143TPDXV6T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4202 pcs
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Numero di parte NSVB143TPDXV6T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4202 pcs Scheda dati MUN5316DW1, NSBC143TPDXV6
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) - Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 357mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione - Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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