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MUN5113DW1T1G

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Numero di parte MUN5113DW1T1G
fabbricante ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 2102965 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		3000 pcs6000 pcs15000 pcs30000 pcs65535 pcs
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Numero di parte MUN5113DW1T1G fabbricante ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 2102965 pcs Scheda dati MUN5113DW1, NSBA144EDxx
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100mA
Tensione - Ripartizione SC-88/SC70-6/SOT-363 Vce saturazione (max) a Ib, Ic 50V
Serie - Stato RoHS Tape & Reel (TR)
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) 47k Resistenza - Base (R1) (ohm) -
Potenza - Max 250mW Polarizzazione 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi MUN5113DW1T1G-ND
MUN5113DW1T1GOSTR		 Di rumore (dB tip @ f) 47k
Tipo montaggio Surface Mount Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks codice articolo del costruttore MUN5113DW1T1G
Frequenza - transizione 80 @ 5mA, 10V Descrizione espansione Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 500nA
Corrente - Cutoff collettore (max) 250mV @ 300µA, 10mA Corrente - collettore (Ic) (max) 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

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