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MUN5112DW1T1G

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Numero di parte MUN5112DW1T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5635 pcs
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Numero di parte MUN5112DW1T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5635 pcs Scheda dati MUN5112DW1, NSBA124EDxx
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potenza - Max 250mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione - Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA Numero di parte base MUN51**DW1T

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