HUF76407DK8T
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| Numero di parte | HUF76407DK8T |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V SOP-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.15 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HUF76407DK8T | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V SOP-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 133684 pcs | Scheda dati | HUF76407DK8 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | UltraFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.8A, 10V | Potenza - Max | 2.5W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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