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HUF76419S3ST-F085

HUF76419S3ST-F085
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Numero di parte HUF76419S3ST-F085
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 68650 pcs
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Numero di parte HUF76419S3ST-F085 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 68650 pcs Scheda dati HUF76419S3ST_F085
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 35 mOhm @ 29A, 10V Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi HUF76419S3ST-F085DKR
HUF76419S3ST_F085DKR
HUF76419S3ST_F085DKR-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28.5nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 29A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)

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