FQT3P20TF-SB82100
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| Numero di parte | FQT3P20TF-SB82100 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQT3P20TF-SB82100 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4471 pcs | Scheda dati | FQT3P20MA04A Pkg Drawing |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-223-4 | Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 335mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi | FQT3P20TF-SB82100CT FQT3P20TF_SB82100CT FQT3P20TF_SB82100CT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | P-Channel 200V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 670mA (Tc) |
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